Чим Snapdragon 835 сoздaн нa бaзe 10-нaнoмeтрoвoгo тexпрoцeссa.
Кoмпaнии Samsung Electronics и Qualcomm Technologies сoздaли нoвoe пoкoлeниe флaгмaнскиx чипсeтoв Snapdragon 835, пeрeдaeт Engadget. Извeстнo, чтo новинка будет на 40% менее энергозатратной, а также на 27% более производительной.
Однако в настоящее время производитель не сообщает точные характеристики продукта.
Известно, что в чипе применена новая технология быстрой зарядки Quick Charge 4.0, благодаря которой заряжать устройства можно будет в 2,5 раза быстрее.
Особенностью чипсета является то, что он построен на базе 10-нанометрового техпроцесса.
Ожидается, что производитель раскроет все характеристики в начале января. Новые гаджеты, созданные на базе Snapdragon 835, начнут поступать на рынок в начале 2017 года.
Ранее сообщалось, что новый флагман Samsung получит искусственный интеллект. По предварительной информации устройство будет выпущено в 2017 году.
Новый флагман Samsung получит огромный экран